Занимательная картография

автор: Александр Шехтман

Железо, номер #010, стр. 010-040-1

тестер: Александр Шехтман

Тестирование карт памяти CF и SD

Редакция выражает благодарность за предоставленное на тестирование оборудование компаниям MERLION (www.merlion.ru, т. 784-1471), BARUN (www.mmccard.ru, т. 721-2307), Ultra Computers (www.ultracomp.ru, т. 775-7566), «Вобис» (www.vobis.ru, т. 796-9228) и российскому представительству компании Kingston (www.kingston.com).

список тестируемого оборудования

СF 256 Мб Digma

CF 256 Мб PQI

CF 512 Мб Digma

CF 512 Мб Kingston

SD 128 Мб Kingmax

SD 128 Мб PQI

SD 256 Мб Digma

SD 256 Мб Goldflash

SD 256 Мб Kingston

SD 256 Мб PDC

SD 256 Мб Transcend

SD 512 Мб Goldflash

SD 512 Мб Kingmax

SD 512 Мб Kingston

SD 512 Мб PDC

Технология FLASH уже достаточно давно вошла в обиход компьютерных пользователей, так что сейчас уже мало кого можно удивить сверхкомпактными и в то же время высокоемкими картами памяти, выполненными по этой технологии. Безусловно, лидерство по дешевизне хранения информации принадлежит жестким дискам, но в отличие от них, флэш-накопители гораздо более компактны и менее капризны. В мире существует много стандартов карт памяти, но мы протестируем карточки двух самых популярных типов – CompactFlash и SecureDigital.

Технологии

Мы уже во всех нюансах описывали и принцип работы флэшовых ячеек, и методы организации памяти, но все же имеет смысл кое-что вспомнить. Основным компонентом Flash-ячейки является так называемый полевой транзистор с плавающим затвором. Определенным образом управляя потенциалами на различных электродах транзистора, можно либо заряжать этот затвор отрицательно (накапливать на нем электроны), либо же, наоборот, разряжать его (электроны стекают с затвора). Таким образом получаются два разных состояния, а значит можно легко организовать логические «0» и «1». Но заряд может принимать и ряд дискретных значений, так что в одной ячейке можно хранить не один а несколько бит информации (многоуровневые ячейки – MLC – Multi Level Cell), а значит в меньшем физическом объеме можно уместить больше данных.

Поскольку плавающий затвор со всех сторон окружен диэлектриком, электронам, чтобы перескочить с него, нужно обладать большой энергией. Ее можно передать им за счет электрического поля, которое создается, если приложить напряжение к другим электродам транзистора. Таким образом, заряд на плавающем электроде может храниться годами (в отсутствии напряжения на других электродах).

Что касается архитектуры Flash-памяти (соединение ячеек между собой), то тут существует несколько вариантов. Первый – NOR (логическое ИЛИ-НЕ). При такой организации возможно осуществление произвольного доступа при помощи параллельного интерфейса. Размер ячеек оказывается весьма невелик, к тому же это единственный расклад, при котором возможна работа памяти при разных значениях напряжения питания. Второй вариант архитектуры – NAND (логическое И-НЕ). В этом случае данные записываются произвольно, но блоками по параллельному интерфейсу. Тут преимуществами является быстрая запись и стирание, а недостатком – медленный произвольный доступ. Такой тип организации памяти чаще всего применяется в цифровых фотоаппаратах, MP3-плеерах и других устройствах, где необходима блочная запись данных. Есть еще два типа организации – AND(логическое И) и DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделенными разрядными линиями). Они совмещают в себе достоинства NAND и NOR.

Предыдущие номера